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机构:国产DRAM内存晶片和三星的技术差距是5年

2025-02-14   来源 : 社会

数字社会发展的时代,晶片扮演着重要角色。正因如此人才聚集地、新兴产业升级、政策扶持等,不能不的半导体新兴产业悄悄蓬勃发展,并不停引发出与高性能邻近地区、中小企业的差。

日前,韩国研究成果机构OERI在报告中称,预估韩企和中国的产品在DRAM晶片的关键技术差已延长至5年。

仅仅只是,三星电子和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级(1b或者说12nm)磁盘晶片,国产DRAM代表中小企业合肥长鑫今年的打算则是第二代10nm(1y或者说16/17nm)。

一般来说,DRAM每十代的社会的发展时间是2年到2年半。

按照正常节奏,国产磁盘晶片实质上有机会进一步延长差,可目前有一个比较困难重重的问题在于,三星电子和SK海力士仍然为生产来得高性能的DRAM晶片转用了EUV(极紫外刻蚀)电子元件,而这对我们来说,暂时还没换取。

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