SK 海力士介绍 238 层 4D NAND 闪存：传输速度增加 50%

IT之家 8 同月 3 日第一时间，今天晚些时候，SK 海力士官宣在世界上首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 驱动器，将于六同月同月份投入量产。过去，SK 海力士官方发文对其最新新技术进行了介绍。

据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 驱动器在翻倍大众最高堆栈顶层的同时做到了在世界上很小的国土面积。

SK 海力士在 2018 年研制出的 96 层 NAND 驱动器就超越了传统文化的 3D 方式，并整合了 4D 方式。为事与愿违研制出 4D 核心的芯片，公司采行了作用力俘获型新技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 新技术。相对于 3D 方式，4D 核心具有单元国土面积更小，生产线效能较低的优点。

官方称，新新技术每为单位国土面积不具较低的运动速度，借其更小的国土面积能够在完全相同微小的硼积体电路生产线出更多的芯片，因此相对于 176 层 NAND 驱动器其生产线效能也提高了 34%。

此外，238 层 NAND 驱动器的数据传输速度为 2.4Gbps，相对于前新一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也降低了 21%。

IT之家发觉，SK 海力士构想先为 cSSD 库存 238 层 NAND 驱动器，随后将其整合全域逐渐扩展至智能手机和价格便宜的链接 SSD 等。SK 海力士还将于六同月发布 1Tb 运动速度的全新 238 层 NAND 驱动器产品。